一种适用于IGBT半导体器件的划片道方法

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摘要

本发明公开了一种适用于IGBT半导体器件的划片道方法，包括如下步骤:（1）准备好已经在表面完成初次划片道的晶圆；（2）在所述晶圆的表面形成氮化硅；（3）把所述晶圆和所述玻璃基板键合在一起；（4）在所述的晶圆上涂覆光刻胶体；（5）把所述光刻胶体位于划片道区域内的部分去除；（6）把所述晶圆位于划片道区域内的部分去除；（7）将所述光刻胶体去除；（8）将所述晶圆和所述玻璃基板分离；从而完成半导体器材的划片道芯片半成品。本发明，结构简单，降低划片的成本，加快生产速度，缩小划片道的宽度，节省了划片道占用的空间。

基本信息

专利标题：

一种适用于IGBT半导体器件的划片道方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112838057A

申请号：

CN202110025607.5

公开（公告）日：

2021-05-25

申请日：

2021-01-08

授权号：

CN112838057B

授权日：

2022-04-05

发明人：

夏华忠黄传伟李健诸建周吕文生谈益民

申请人：

江苏东海半导体科技有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

殷红梅

优先权：

CN202110025607.5

主分类号：

H01L21/78

IPC分类号：

H01L21/78 H01L21/683