一种芯片屏蔽与气密封装方法和封装结构
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摘要
本发明公开了一种芯片屏蔽与气密封装方法，在铝硅基板的芯片埋置处加工芯片埋置槽，并将芯片贴装于芯片埋置槽内，再将多层LCP基板根据电路进行光刻，多层LCP基板层压形成气密盖板，最后将气密盖板和贴装有芯片的铝硅转接板进行层压，通过高频、稳定性好、损耗低且气密的LCP基板进行布线和气密，使用铝硅转接板进行散热和芯片屏蔽，通过将裸芯片埋置于铝硅材料内，以LCP基板进行电性能传输的同时对裸芯片进行气密，相比铝硅壳体与铝合金气密封焊的方法，不仅可提高芯片的散热性能，同时通过铝硅金属腔体对芯片进行屏蔽保护，还可提高组件的集成度，降低组件体积和质量。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片屏蔽与气密封装方法和封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112820694A
申请号 ：
CN202110056690.2
公开（公告）日 ：
2021-05-18
申请日 ：
2021-01-15
授权号 ：
CN112820694B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
罗燕高求刘凯丁蕾张理正王立春曹向荣陈凯
申请人 ：
上海航天电子通讯设备研究所
申请人地址 ：
上海市闵行区中春路1777号
代理机构 ：
上海汉声知识产权代理有限公司
代理人 ：
贺姿
优先权 ：
CN202110056690.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/48 H01L23/02 H01L23/367 H01L23/538 H01L23/552
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-06-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20210115
申请日 : 20210115
2021-05-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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