本申请公开了一种掩膜版，包括：中心图案区，包括器件结构的光刻图案；第一图案区，包括第一划片道的光刻图案；以及第二图案区，包括第二划片道的光刻图案，其中，第一图案区与第二图案区分别位于中心图案区的两侧且沿平行方向延伸，第二图案区的光刻图案沿第一设定方向的位移图案与第二图案区的光刻图案不存在交叠的透光区，第一设定方向与第一图案区的延伸方向垂直。由于第二图案区的光刻图案沿第一设定方向的位移图案与第二图案区的光刻图案不存在交叠的透光区，防止了前一次光刻步骤经第一图案区形成的光刻图案在后一次光刻步骤中被照射，从而将经第一图案区形成的光刻图案保留在晶圆上。