用于功率半导体元件的高压终端结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种用于功率半导体元件的高压终端结构及其制造方法。此高压终端结构包含一具有第一导电型的半导体本体，一具有第二导电型的接面终端延伸区，一具有第一导电型的重掺杂通道阻绝区及多个场板。接面终端延伸区是形成于半导体本体，其中，接面终端延伸区是邻接于功率半导体元件的一主动区。重掺杂通道阻绝区是形成于半导体本体，其中，重掺杂通道阻绝区与接面终端延伸区互相分离。多个场板是形成于接面终端延伸区上。本发明并提供一种制造用于功率半导体元件的高压终端结构的方法。
基本信息
专利标题 ：
用于功率半导体元件的高压终端结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512540A
申请号 ：
CN202110136705.6
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-02-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
哈姆札·依玛兹阿亚弟·马林纳
申请人 ：
台湾半导体股份有限公司;哈姆札·依玛兹
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
谢强
优先权 ：
CN202110136705.6
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/06
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20210201
申请日 : 20210201
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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