半导体装置
实质审查的生效
摘要
一种半导体装置包括：第一晶圆，其包括行解码器区域，在行解码器区域中在行方向和列方向上布置有多个传输晶体管；多个第一接合焊盘，其分别与多个传输晶体管联接并且被设置在行解码器区域中的第一晶圆的一个表面上的多个行中；以及多个第二接合焊盘，其设置在行解码器区域中的第一晶圆的一个表面上，其中，多个第二接合焊盘被设置在与多个第一接合焊盘不同的行中并且相对于多个第一接合焊盘在行方向上偏移。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429773A
申请号 ：
CN202110404668.2
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-04-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
成象铉吴星来崔齐玹
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110404668.2
主分类号 ：
G11C11/4093
IPC分类号 ：
G11C11/4093 G11C11/4094 G11C11/4097
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/4093
输入/输出数据接口装置，例如：数据缓冲器
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/4093
申请日 : 20210415
申请日 : 20210415
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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