一种TO封装功率半导体器件结构优化设计方法
授权
摘要
本发明涉及功率半导体器件技术领域,公开了一种TO封装功率半导体器件结构优化设计方法,旨在为TO封装功率半导体器件结构优化提供了实用的设计工具。该方法首先定义了待优化功率半导体器件的优化目标、设计变量和约束;其次,建立了有限元分析模型以分析器件中芯片的热应力和翘曲;再次,结合响应面技术,构建了两个结构优化模型,依次优化芯片结构尺寸和位置尺寸。与现有技术相比,该方法依次对芯片结构尺寸和位置尺寸实施优化,能够最小化芯片翘曲并满足热应力、芯片面积约束;步骤清晰,易于理解,可直接用于解决一般TO封装功率半导体器件的结构设计问题,具有良好的易用性和适用性。
基本信息
专利标题 :
一种TO封装功率半导体器件结构优化设计方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113221419A
申请号 :
CN202110531073.3
公开(公告)日 :
2021-08-06
申请日 :
2021-05-16
授权号 :
CN113221419B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
黄志亮邓洁莲邓曙光阳同光李航洋陈敢新
申请人 :
湖南城市学院
申请人地址 :
湖南省益阳市赫山区迎宾东路518号机电院310
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202110531073.3
主分类号 :
G06F30/23
IPC分类号 :
G06F30/23
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/23
使用有限元方法或有限差方法
法律状态
2022-04-12 :
授权
2021-08-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/23
申请日 : 20210516
申请日 : 20210516
2021-08-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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