一种PTFE复合介质基板及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种PTFE复合介质基板及其制作方法。本发明的PTFE复合介质基板，采用多粒径的二氧化硅空心球作为陶瓷填料，通过引入大粒径空心硅球来降低PTFE复合基板的介电常数，同时引入小粒径空心硅球，在保证PTFE复合基板介电常数较低的情况下，来降低介电损耗和热膨胀系数，本发明的PTFE复合介质基板在高频下具有低介电常数、低介电损耗和低热膨胀率，在卫星通讯、导弹遥控和全球卫星定位系统(GPS)等领域有着巨大的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种PTFE复合介质基板及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113232383A
申请号 ：
CN202110575037.7
公开（公告）日 ：
2021-08-10
申请日 ：
2021-05-25
授权号 ：
CN113232383B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
陈文祁琰媛李远洋周静沈杰
申请人 ：
武汉理工大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
彭月
优先权 ：
CN202110575037.7
主分类号 ：
B32B15/20
IPC分类号 ：
B32B15/20 B32B15/085 B32B27/32 B32B27/20 B32B37/06 B32B37/10 C08L27/18 C08K7/26 C08J5/18
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B32
层状产品
B32B
层状产品，即由扁平的或非扁平的薄层，例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品
B32B15/00
实质上由金属组成的层状产品
B32B15/20
由铝或铜组成
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-08-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B32B 15/20
申请日 : 20210525
申请日 : 20210525
2021-08-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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