一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及复合基板的制备技术领域，公开一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法。其中复合基板的制备装置包括：物理气相沉积腔室，为第一真空腔室且其内设有物理气相沉积组件，物理气相沉积组件能够对基板本体的表面进行物理气相沉积并形成镀层；键合腔室，能够与物理气相沉积腔室连通或者隔绝且为第二真空腔室，键合腔室内设有加压组件；移动组件，移动组件能够将物理气相沉积腔室内带镀层的基板本体转移至键合腔室内，加压组件能够将至少两个镀膜后的基板本体键合形成复合基板。本发明公开的复合基板的制备装置，具有稳定性好、材料的利用率高及成品率高的特点。
基本信息
专利标题 ：
一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318286A
申请号 ：
CN202210100410.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭超母凤文
申请人 ：
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请人地址 ：
北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
李林
优先权 ：
CN202210100410.8
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56 C23C14/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/56
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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