一种堆叠式全栅纳米片器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种堆叠式全栅纳米片器件及其制造方法。该方法将堆叠的纳米片形成沟道区及漂移区，并且在纳米片的沟道区一端形成源区，在漂移区一端形成漏区。该沟道区、漂移区、源区及漏区具有相同的掺杂极性，并且源区和漏区的掺杂浓度大于沟道区和漂移区的掺杂浓度。如上形成的无结全包围栅器件具有更高的击穿电压，由此使得器件具有更好的电学性能及可靠性，更加适合高电压应用环境。
基本信息
专利标题 ：
一种堆叠式全栅纳米片器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267736A
申请号 ：
CN202110616334.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-06-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖德元
申请人 ：
青岛昇瑞光电科技有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区山王河路1088号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高园园
优先权 ：
CN202110616334.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/08 H01L29/06 H01L21/336 B82Y40/00 B82Y10/00
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20210602
申请日 : 20210602
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
