具有三维单元结构的半导体器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。根据本公开的一个方面的半导体器件包括衬底、设置在衬底上方以在垂直于衬底表面的第一方向上彼此间隔开的多个字线结构。多个字线结构中的每一个在平行于衬底表面的第二方向上延伸。另外，半导体器件包括：开关层，其设置在衬底上以接触多个字线结构的侧表面；以及位线结构，其设置在衬底上以在第一方向上延伸并接触开关层的表面。开关层被配置为执行阈值开关操作，并且具有可变的可编程阈值电压。
基本信息
专利标题 ：
具有三维单元结构的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429969A
申请号 ：
CN202110661935.4
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-06-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩在贤
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭放
优先权 ：
CN202110661935.4
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/24
申请日 : 20210615
申请日 : 20210615
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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