与非型闪速存储器及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种可防止沿垂直方向延伸的栅极间的短路的与非型闪速存储器及其制造方法。本发明的与非型闪速存储器包括：基板；多个通道堆叠，形成在基板上，沿X方向延伸；绝缘层，形成在通道堆叠之间；多个沟，以沿Y方向排列的方式，在绝缘层内分离来形成；包含电荷蓄积层的绝缘体堆叠，以覆盖各沟的侧壁的方式形成；以及多个导电性的垂直栅极，在各沟内的由绝缘体堆叠所形成的空间内沿垂直方向延长、且沿Y方向延伸。
基本信息
专利标题 ：
与非型闪速存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334997A
申请号 ：
CN202111041855.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白田理一郎
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
贺财俊
优先权 ：
CN202111041855.5
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582 G11C16/04
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20210907
申请日 : 20210907
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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