半导体装置
实质审查的生效
摘要
提供进一步降低了FWD动作时的恢复损耗的半导体装置。晶体管和二极管形成于共通的半导体基板,半导体基板具有晶体管区域和将它们包围的外周区域,晶体管区域被多个条状的栅极电极划分为形成沟道的多个沟道区域和不形成沟道的多个非沟道区域,多个非沟道区域具有第1半导体层、第2半导体层、第3半导体层、第5半导体层、第1电极和第2电极,第3半导体层以及第5半导体层经由接触孔而与第2电极电连接,第5半导体层以不与第1导电型的杂质层接触的方式而选择性地设置,该第1导电型的杂质层设置于外周区域而对与单元区域之间的边界进行限定。
基本信息
专利标题 :
半导体装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284337A
申请号 :
CN202111128107.0
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-09-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
高桥彻雄藤井秀纪本田成人
申请人 :
三菱电机株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 :
何立波
优先权 :
CN202111128107.0
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06 H01L27/07
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210926
申请日 : 20210926
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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