抛光垫和使用该抛光垫的半导体器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
提供一种抛光垫，其包括：抛光层；将1g的所述抛光层加入0.3M氢氧化钾(KOH)水溶液中，并在密封容器中以150℃温度反应48h的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱包括：第一峰值，在15ppm至18ppm中出现，第二峰值，在9ppm至11ppm中出现，以及第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；并且所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为约5：1至约10：1。所述抛光垫呈现符合所述峰值特性的物理特性，因此可以在抛光对象的抛光工艺上实现目的范围内的抛光率与缺陷防止性能。
基本信息
专利标题 ：
抛光垫和使用该抛光垫的半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114346894A
申请号 ：
CN202111133854.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑恩先尹钟旭甄明玉徐章源柳智娟
申请人 ：
SKC索密思株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
成都超凡明远知识产权代理有限公司
代理人 ：
魏彦
优先权 ：
CN202111133854.3
主分类号 ：
B24B37/22
IPC分类号 ：
B24B37/22 B24B37/26 B24B37/24 B24B37/04
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/11
研具
B24B37/20
用于加工平面的研磨垫
B24B37/22
以多层结构为特征
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 37/22
申请日 : 20210927
申请日 : 20210927
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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