基板处理装置
公开
摘要
本发明涉及基板处理装置。提供一种能够在液处理中提升去除对象物的去除效率的技术。本公开的基板处理装置具有流体供给部、处理液供给部以及喷嘴。流体供给部供给包含经过了加压的纯水的蒸汽或水雾的流体。处理液供给部供给至少包含硫酸的处理液。喷嘴具有第1喷出口、第2喷出口以及导出路径。第1喷出口喷出自流体供给部供给的流体。第2喷出口喷出自处理液供给部供给的处理液。导出路径与第1喷出口以及第2喷出口连通，导出自第1喷出口喷出的流体和自第2喷出口喷出的处理液的混合流体。另外，导出路径的截面面积比第1喷出口的截面面积大。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334713A
申请号 ：
CN202111150556.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
绪方信博樱井宏纪后藤大辅古贺贵广森宽太桥本佑介
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111150556.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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