半导体器件和包括其的电子系统
公开
摘要

提供了一种半导体器件和包括其的电子系统。所述半导体器件可以包括:外围电路结构,包括电路;衬底,位于所述外围电路结构上;成对的字线切割结构,在所述衬底上在第一方向上延伸;以及存储单元块,位于所述成对的字线切割结构之间并且位于所述衬底上。所述存储单元块可以包括:存储堆叠结构,包括在垂直方向上彼此交叠的栅极线;层间绝缘层,位于每条所述栅极线的边缘部分上;堤坝结构,延伸穿过所述栅极线和所述层间绝缘层;相交方向切割结构,在所述垂直方向上延伸穿过所述存储堆叠结构和所述层间绝缘层并且与所述堤坝结构间隔开;以及虚设沟道结构,位于所述相交方向切割结构与所述堤坝结构之间。

基本信息
专利标题 :
半导体器件和包括其的电子系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446976A
申请号 :
CN202111203462.X
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2021-10-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
林根元朴真佑崔一珪
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市立方律师事务所
代理人 :
李娜
优先权 :
CN202111203462.X
主分类号 :
H01L27/11524
IPC分类号 :
H01L27/11524  H01L27/11529  H01L27/11556  H01L27/1157  H01L27/11573  H01L27/11582  G11C16/04  G11C16/24  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的,例如,NAND
法律状态
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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