一种半导体器件可靠性测试方法及装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供的一种半导体器件可靠性测试方法及装置，通过提供一整套理论、仿真、实验三位一体的器件纳米级分析其具体的毁伤机理的方法，根据该方法可以分析高电子迁移率晶体管、互补金属氧化物半导体、双极结型晶体管等的损伤机制，为后期的器件结构优化及可靠性加固提供指导作用，从底层上了解芯片的毁伤机理，为后期的同等规模级别芯片产品优化和鲁棒性的提高起到明显改善的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件可靠性测试方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114266212A
申请号 ：
CN202111329377.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柴常春秦英朔李福星孟祥瑞宋博奇陈柯旭
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202111329377.8
主分类号 ：
G06F30/3308
IPC分类号 ：
G06F30/3308
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/3308
使用模拟
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/3308
申请日 : 20211110
申请日 : 20211110
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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