半导体结构及提供单元阵列的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供半导体结构及提供单元阵列的方法，可提供一种具有混合单元高度的单元阵列。其中一种半导体结构包括：包括：单元阵列，该单元阵列包括：布置在第一列中的第一单元，该第一单元沿第一方向具有第一单元高度且执行第一功能；布置在第二列中的第二单元，该第二单元沿该第一方向具有第二单元高度且执行第二功能；布置在该第一列中的至少一个第三单元，该第三单元沿该第一方向具有第三单元高度且执行第三功能；该第二单元耦合并接触到该第一单元，且被配置为从该第一单元接收至少一个信号并根据该信号提供输出信号，该第二单元高度大于该第一单元高度，该第一单元的数量等于该第二单元的数量，该第三单元高度与该第一单元高度成比例。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及提供单元阵列的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530446A
申请号 ：
CN202111345676.0
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王文政游永杰
申请人 ：
联发科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学园区笃行一路一号
代理机构 ：
北京市万慧达律师事务所
代理人 ：
李江
优先权 ：
CN202111345676.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20211115
申请日 : 20211115
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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