具有V形凹槽爬电结构的集成电路封装件
实质审查的生效
摘要
本公开的各实施例涉及具有V形凹槽爬电结构的集成电路封装件。引线框架包括裸片焊盘和电引线。集成电路芯片被安装到裸片焊盘。包封封装件具有由第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁限定的周界。电引线从封装件的相对的第一侧壁和第二侧壁延伸。封装件的相对的第三侧壁和第四侧壁的至少一个侧壁包括V形凹部，用于增加在相对的第一侧壁和第二侧壁处的电引线之间的爬电距离。
基本信息
专利标题 ：
具有V形凹槽爬电结构的集成电路封装件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512459A
申请号 ：
CN202111354826.4
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王远丰
申请人 ：
意法半导体私人公司
申请人地址 ：
马来西亚麻坡市
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
黄海鸣
优先权 ：
CN202111354826.4
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/495
申请日 : 20211116
申请日 : 20211116
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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