铌酸锂半导体结构的制备方法
实质审查的生效
摘要
一种铌酸锂半导体结构的制备方法，包括以下步骤：S100，提供铌酸锂材料薄膜，所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向沿第一方向；S200，在所述铌酸锂材料薄膜表面间隔设置多个第一电极层和多个第二电极层，多个所述第一电极层和多个所述第二电极层形成叉指电极；S300，给所述第一电极层和所述第二电极层施加脉冲电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间的所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向反转为沿第二方向，所述第二方向与所述第一方向相反。
基本信息
专利标题 ：
铌酸锂半导体结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361331A
申请号 ：
CN202111404360.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张国权钱月照张煜晨许京军
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路94号
代理机构 ：
北京华进京联知识产权代理有限公司
代理人 ：
魏朋
优先权 ：
CN202111404360.4
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/10 H01L43/12
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/08
申请日 : 20201210
申请日 : 20201210
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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