一种半导体器件的电镀方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种半导体器件的电镀方法,通过在前工艺层的基础上布局电阻侦测电路,前工艺层与预设电镀区域之间具有第一高度,在电镀过程中保持电流强度不变,实时监测在电镀过程中侦测电路的电阻变化,并记录下电镀开始至电阻变化的第一时间,根据第一高度和第一时间得到电镀速率。进而根据电镀金属的目标厚度计算出电镀总时间,因此可以在电镀总时间内电镀得到目标厚度的电镀金属。进一步可以采用无线传输模块将电阻信号进行无线传输,因此本发明不仅可以减少菜单设定,节约制作成本,还可以更加便捷,适用于各种不同的场景。

基本信息
专利标题 :
一种半导体器件的电镀方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114277409A
申请号 :
CN202111405176.1
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-11-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朱庆芳
申请人 :
泉州市三安集成电路有限公司
申请人地址 :
福建省泉州市南安市石井镇古山村莲山工业区2号
代理机构 :
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 :
连耀忠
优先权 :
CN202111405176.1
主分类号 :
C25D5/16
IPC分类号 :
C25D5/16  C25D7/12  C25D21/12  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C25
电解或电泳工艺;其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法;电铸;工件的电解法接合;所用的装置
C25D5/00
以工艺方法为特征的电镀;工件的预处理或后处理
C25D5/16
不同镀层厚度的电镀
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25D 5/16
申请日 : 20211124
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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