一种缓坡状晶圆制备方法
公开
摘要
本发明提出了一种缓坡状晶圆制备方法，包括：S100，将缓坡状晶圆放置于第一载板的凹槽中，使缓坡状晶圆的背面朝上，完成晶圆背面离子注入及高温回火工艺后，在所述缓坡状晶圆的背面制备金属层；S200，在所述缓坡状晶圆背面制备第一聚亚酰胺层，使所述缓坡状晶圆背面达到预设平整度；S300，翻转所述第一载板，将所述缓坡状晶圆转移至第二载板，使所述缓坡状晶圆的正面朝上；S400，在所述缓坡状晶圆的正面完成晶圆正面金属器件和第二聚亚酰胺层的制备，所述第二聚亚酰胺的镂空区域对应切割道位置；S500，对照所述切割道位置，进行所述缓坡状晶圆的切割。根据本发明提供的缓坡状晶圆制备方法，提高了对缓坡状晶圆进行加工的稳定性和良品率。
基本信息
专利标题 ：
一种缓坡状晶圆制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300407A
申请号 ：
CN202111413453.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严立巍符德荣李景贤
申请人 ：
绍兴同芯成集成电路有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区银桥路326号1幢1楼113室
代理机构 ：
工业和信息化部电子专利中心
代理人 ：
华枫
优先权 ：
CN202111413453.3
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/78 B23K26/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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