一种降低半导体器件焊接气孔率的方法
公开
摘要
本发明属于半导体器件封装技术领域，为解决目前焊接气孔改进存在较大困难的问题，本发明提供了一种降低电子器件焊接气孔率的工艺方法，在半导体基体上增加Ni喷涂层后，采用回流焊工艺，解决了低成本锡膏回流焊接工艺中的焊接空洞问题，降低了半导体器件焊接气孔率。
基本信息
专利标题 ：
一种降低半导体器件焊接气孔率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613687A
申请号 ：
CN202111455819.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔博然翟仁爽李明杨驰
申请人 ：
杭州大和热磁电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区滨康路668号、777号
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
郑汝珍
优先权 ：
CN202111455819.3
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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