一种巨量转移方法、集成板封装方法和集成板
实质审查的生效
摘要
本发明涉及LED加工技术领域，公开了一种巨量转移方法、集成板封装方法和集成板，包括：将Micro LED芯片顶部的第一金属层和CMOS背板晶片的表面的第二金属层对接，并通过热压法结合，形成Micro LED阵列。本发明具有以下优点和效果：由于利用金属之间热压扩散现象将Micro LED芯片转移到CMOS背板晶片上，而金属热压仅需要对准后按照热压法加热即可，规避了锡膏法中锡膏使用时间的限制，可以用以构建更大的集成板，相应的减少了大尺寸屏组装时所需要的集成板的数量，相应减少了屏组的拼缝面积，提高了LED屏幕的使用感受。同时，与传统锡膏过炉硬化结合相比，金属热压法粘接强度更高，没有锡球开裂和连锡等不良现象，可靠性更优。
基本信息
专利标题 ：
一种巨量转移方法、集成板封装方法和集成板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361064A
申请号 ：
CN202111521442.7
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
袁婷刘强
申请人 ：
湖北芯映光电有限公司
申请人地址 ：
湖北省鄂州市葛店开发区发展大道特一号招商展示中心四楼402室
代理机构 ：
武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
彭程程
优先权 ：
CN202111521442.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L25/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211213
申请日 : 20211213
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
