一种半导体发光器件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体发光器件及其制作方法，在对切割道镂空处进行刻蚀时使得切割道处裸露衬底，进而能够使得不同器件之间相互隔离，最终能够对第一电极及相应的第二电极进行通电进行电性检测，无需制备特殊的待测器件，进而提高了半导体发光器件的制作良率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体发光器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267755A
申请号 ：
CN202111555665.5
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄斌斌梅震章兴洋李青鑫刘兆
申请人 ：
江西乾照光电有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
林哲生
优先权 ：
CN202111555665.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/10 H01L33/38 H01L33/42
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
