法兰装置及半导体制造系统
实质审查的生效
摘要
本发明揭露一种法兰装置，连接于处理腔体及传递腔体之间。所述装置包含一本体，所述本体具有一第一环形内壁及所述第一环形内壁定义的一晶圆传输通道。所述第一环形内壁由一顶面、一对侧面及一底面所界定，其中所述第一环形内壁的顶面提供有多个扩散孔，用于朝所述晶圆通道供应净化气体。此外，本发明还揭露了一种半导体制造系统。
基本信息
专利标题 ：
法兰装置及半导体制造系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334729A
申请号 ：
CN202111617994.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张铁彪谈太德姜崴
申请人 ：
拓荆科技股份有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111617994.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
