一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法及半导体产品
公开
摘要
本发明实施例公开了一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法及半导体产品。其中，方法的步骤包括：在半导体产品的第一表面形成黏胶层，该半导体产品的第一表面设置有焊球阵列，黏胶层至少环绕焊球阵列，且黏胶层的厚度大于或等于焊球阵列中焊球的高度；在半导体产品治具的产品承载区贴附双面胶；半导体产品治具包括阵列排布的多个产品承载区；将半导体产品贴装于产品承载区，以使黏胶层与双面胶贴合；至少在半导体产品的第二表面形成电磁屏蔽层；第二表面与第一表面相对；分离半导体产品与黏胶层；其中，在分离半导体产品与黏胶层时，黏胶层与半导体产品的结合力小于黏胶层与双面胶的结合力。本发明实施例能够提高效率和良率，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法及半导体产品
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293164A
申请号 ：
CN202111640076.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汪凯王利维何世新康文彬张贤祝郝杰
申请人 ：
立芯科技（昆山）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市巴城镇塔基路东侧金凤凰路北侧
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
康欢欢
优先权 ：
CN202111640076.7
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/04 C23C14/50 C23C14/58 H01L23/552
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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