基于纳米级散热器的晶圆封装结构及方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种基于纳米级散热器的晶圆封装结构及方法。晶圆封装方法包括步骤:提供待封装的晶圆,晶圆包括相对的正面和背面,正面上形成有芯片;对晶圆的背面进行光刻刻蚀,以于晶圆的背面形成多个间隔设置的散热鰭片,各散热鰭片通过沟槽相间隔,散热鰭片的厚度小等于100nm;于散热鰭片的表面和沟槽的表面依次沉积形成热界面材料层和散热层以形成纳米级散热器,热界面材料层和散热层的厚度之和小于沟槽的宽度的1/2。本发明创造性地在芯片的背面形成新型结构散热器,通过工艺流程及结构设计,可形成纳米尺寸的散热器,能获得更大的散热表面积,极大改善器件的散热性能,提高器件可靠性,而且可确保封装出的结构尺寸不会增加,保证WLCSP小尺寸的优势。
基本信息
专利标题 :
基于纳米级散热器的晶圆封装结构及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446904A
申请号 :
CN202111656277.6
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朱建校陆明商俊强朱文杰姜培史方
申请人 :
光梓信息科技(深圳)有限公司;光梓信息科技(上海)有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDF栋大厦401
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
卢炳琼
优先权 :
CN202111656277.6
主分类号 :
H01L23/367
IPC分类号 :
H01L23/367 H01L23/373 H01L23/467 B82Y30/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择,例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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