一种半导体氧化装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种半导体氧化装置，氧气机、氢气机和氮气机下方右侧均由排气管、开关阀和出气头所构成设置，使其半导体件生产完时，放入托盘上，加热器加热，打开氧气开关阀通入氧气，氧化反应开始，由温度感应器检测内部温度到达设定温度时，此时通入氢气，完成氧化操作，再通入氧气，消耗剩余氢气，使得对半导体件表面形成一层氧化保护膜，之后通入氮气，对氧化槽内退热处理，避免氧化层受温度高被破坏改变传统贴膜保护使用，解决了现半导体加工制造时，为提高半导体表面抗氧化性，通常会贴一层氧化薄膜，但是半导体用于电子产品内使用，器件通电工作时会有热量产生，导致氧化薄膜受热后容易脱胶，造成使用寿命极短的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体氧化装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122332573.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-26
授权号 ：
CN216435845U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
郭顺杰
申请人 ：
郭顺杰
申请人地址 ：
湖北省十堰市房县土城镇上河村1组
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122332573.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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