一种基于氧化镓的半导体装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于氧化镓的半导体装置，本实用新型通过对硅衬底进行图形化处理，在硅衬底上表面加工隔离带，将硅衬底层上表面分离出多个互不相连的六边形生长平台，然后在六边形生长平台上生长GaN薄膜层，再在GaN薄膜层上生长α‑Ga2O3薄膜层；硅衬底层上表面六边形生长平台的设计，使得在其上生长的GaN薄膜互不相连，实现晶格失配和热失配导致的应力在大面积范围内无法形成合力，化整为零，可大幅降低应力影响，制备出高品质的GaN薄膜；另外在GaN薄膜层上生长α‑Ga2O3薄膜层，避免了直接在硅衬底上生长α‑Ga2O3薄膜层，硅衬底层上表面被氧化生成氧化硅，从而影响薄膜质量的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种基于氧化镓的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122902832.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
CN216528896U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
广州华瑞升阳投资有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区科学城科汇大道科汇一街5号901房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122902832.0
主分类号 ：
H01L29/24
IPC分类号 ：
H01L29/24 H01L29/41 H01L29/417 H01L23/373 H01L29/872 H01L29/861 H01L29/78 H01L29/739 H01L33/26 H01L33/42 H01L33/40 H01L21/44 H01L21/34
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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