带腔体器件的气密封装结构
授权
摘要
本实用新型提供一种带腔体器件的气密封装结构，其包括：半导体部件；盖板；键合层，其位于半导体部件和盖板之间；第一腔体，其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封；第二腔体，其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封；若干第一通孔，其贯穿盖板至第一腔体；若干第二通孔，其贯穿盖板至第二腔体；第一密封层，其设置于盖板远离所述半导体部件的一侧表面，以密封所述若干第一通孔；第二密封层，其设置于所述第一密封层远离所述盖板的一侧表面，以密封所述若干第二通孔。与现有技术相比，本实用新型可以为带腔体器件提供更高的真空度，且不同芯片气压的均匀度好，进而提高带腔体器件的性能，改善良率。
基本信息
专利标题 ：
带腔体器件的气密封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122446019.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-09
授权号 ：
CN216303266U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
丁希聪凌方舟储莉玲蒋乐跃
申请人 ：
美新半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新辉环路2号
代理机构 ：
苏州简理知识产权代理有限公司
代理人 ：
庞聪雅
优先权 ：
CN202122446019.7
主分类号 ：
B81B7/00
IPC分类号 ：
B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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