低制造成本的横向超结MOSFET结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种低制造成本的横向超结MOSFET结构，在硅衬底上设有二氧化硅绝缘埋层，在二氧化硅绝缘埋层上设有N‑型漂移区，在N‑型漂移区上设有横卧的P‑型柱与P‑型体区，在P‑型体区上设有N+型源区，在P‑型体区与N+型源区交界处上设有源极接触金属；在N‑型漂移区与P‑型柱的一侧设有N+型漏极接触区，在N+型漏极接触区的外侧设有漏极接触金属；在N‑型漂移区、P‑型柱和P‑型体区的一侧设有二氧化硅栅极氧化层，二氧化硅栅极氧化层的外侧设有栅极接触金属。本实用新型结构简单、制造方便，在制造时仅涉及一个外延步骤，大大降低了制造过程的总成本。
基本信息
专利标题 ：
低制造成本的横向超结MOSFET结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122510979.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-19
授权号 ：
CN216450651U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
姜鹏
申请人 ：
无锡紫光微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202122510979.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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