一种基于回收处理的再生光刻掩膜版
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于回收处理的再生光刻掩膜版，包括报废的光刻掩膜版，所述报废的光刻掩膜版经过回收处理后得到基板，所述回收处理后得到的基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面的粗糙度≤0.5nm，所述第一表面或第二表面上设置有透明补偿层，所述基板与透明补偿层的总厚度为原始基板厚度，所述透明补偿层上设置铬层，所述铬层包含转印图案，得到再生光刻掩膜版。制作简单，得到的再生光刻掩膜版与原掩膜版性能基本相同，即维持掩膜版在紫外曝光过程中的光路路径不变，有利于稳定光刻工艺制程，减少生产缺陷。并且可以对资源进行再利用，可以大大降低制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种基于回收处理的再生光刻掩膜版
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122610680.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-27
授权号 ：
CN216351768U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
王峰赵海琴
申请人 ：
美可隆半导体（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区竹园路209号1号楼C4058室
代理机构 ：
苏州博格华瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
丁浩秋
优先权 ：
CN202122610680.7
主分类号 ：
G03F1/00
IPC分类号 ：
G03F1/00 G03F1/48 G03F1/72
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
