一种直列式MOS场效应晶体管
授权
摘要
本实用新型涉及晶体管技术领域，且公开了一种直列式MOS场效应晶体管，包括陶瓷封壳、半导体主体、源极、漏极、栅极、第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述源极、漏极和栅极分别设置于半导体主体的前侧，所述源极通过第一引线与第一引脚连接，所述漏极通过第二引线与第二引脚连接，所述栅极通过第三引线与第三引脚连接。该直列式MOS场效应晶体管，通过陶瓷封壳、半导体主体、源极、漏极、栅极、第一引脚、第二引脚、第三引脚、紧固螺钉、底衬、移动槽、支杆、顶块、定位底板、防护板、抵紧螺母、锁紧螺母和散热槽之间的相互配合，达到了增强MOS管散热性能和防止引脚折断受损的效果，解决了现有MOS管散热能力较差和MOS管引脚易折断受损的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种直列式MOS场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122630949.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-30
授权号 ：
CN216213402U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
张泽华
申请人 ：
深圳市微碧半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122630949.8
主分类号 ：
H01L23/40
IPC分类号 ：
H01L23/40 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/40
用于可拆卸冷却或加热装置的安装或固定装置
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
