一种硅晶体生长用碳碳复合材料埚帮
授权
摘要
一种硅晶体生长用碳碳复合材料埚帮，在埚帮内侧配设有与其内径壁面相匹配的内筒，所述内筒靠近所述埚帮直壁部顶端设置，能够在拉晶时与所述埚帮内径壁面紧密贴合，并可在拉晶结束后从所述埚帮顶部取出以使石英坩埚从所述埚帮中无卡顿取出。本实用新型在原埚帮内侧加设可拆卸的内筒，进而在取出石英坩埚的过程中，上部不受阻力，可整体方便取出，可有效减少操作时间和后期处理时间；同时在内筒上设置排气孔，使得在石英坩埚和埚帮之间产生的气体得到及时排除，从而避免了石英坩埚鼓包的问题，维持正常拉晶，避免安全风险和成本损失；该内筒可定期更换，可有效提高埚帮的寿命，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种硅晶体生长用碳碳复合材料埚帮
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122645004.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-01
授权号 ：
CN216614931U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
李鹏飞许建王建龙王永兴安磊李晓东王建平王林
申请人 ：
内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202122645004.3
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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