一种改进散热型超低功耗半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种改进散热型超低功耗半导体器件，包括超低功耗半导体主体和底座，所述超低功耗半导体主体的内部连通有半导体引脚，所述半导体引脚贯穿于超低功耗半导体主体的表面并延伸至外界。通过限位组件的设置，能够从超低功耗半导体主体与半导体引脚的连接处对半导体引脚进行限位，能够防止超低功耗半导体主体与半导体引脚之间的连接处出现断裂，降低了超低功耗半导体主体的损耗率，通过散热组件的设置，能够在超低功耗半导体主体底部进行良好的散热，同时通过支撑组件的设置使得超低功耗半导体主体不会与固定物直接贴合连接，能够对散热组件起到辅助作用。
基本信息
专利标题 ：
一种改进散热型超低功耗半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122702717.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-06
授权号 ：
CN216311752U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
李小刚周彬彬李秀玲
申请人 ：
深圳市桦沣实业有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区石岩街道水田社区祝龙田路第四工业区18号厂房A7栋1、2楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122702717.9
主分类号 ：
H01L23/12
IPC分类号 ：
H01L23/12 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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