一种高精度半导体晶片背切平台
授权
摘要
本实用新型公开了一种高精度半导体晶片背切平台，涉及一种平台领域，包括大理石台，大理石台的上端面上设置有X轴直线电机，X轴直线电机的上方设置有Y轴直线电机，Y轴直线电机的上方设置有直驱旋转平台，直驱旋转平台上固定连接有吸附工装治具，吸附工装治具的中心为透明的；大理石台为中空的，大理石台的中空位置处设置有固定架，固定架上设置有精密相机，精密相机可照射到吸附工装治具上的产品。本实用新型中精密相机能够定位mark点或切割轨迹，根据指令进行X轴移动、Y轴移动和精密转动，保证划线精度，本实用新型采用闭环控制，通用性强，稳定性高，石英玻璃的材质，更优秀的透光性和耐磨性，满足划片机的划痕深度要求。
基本信息
专利标题 ：
一种高精度半导体晶片背切平台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122890777.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
CN216698321U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
朱云苏颜章健
申请人 ：
苏州迅镭激光科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区娄葑镇东富路58号
代理机构 ：
苏州佳捷天诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
石俊飞
优先权 ：
CN202122890777.8
主分类号 ：
H01L21/68
IPC分类号 ：
H01L21/68 H01L21/304 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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