一种半导体清洗改良装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体清洗改良装置，包括清洗槽和设置在清洗槽内的硅片夹，清洗槽底部外接有进液管路，清洗槽侧壁外接有溢流管路，硅片夹内侧沿竖直方向并列设置有若干支架，支架上均垂直清洗槽内壁延伸出若干横梁，水平方向相邻横梁之间距离大于硅片厚度，横梁沿竖直方向对齐形成若干纵列，硅片放置在相邻纵列的横梁之间形成的纵向空间。本实用新型结构简单，通过马达在去离子水浸泡过程中带动硅片夹前后震荡，硅片上的药液与去离子水摩擦接触实现冲洗，提升了清洗效果，使图形密集区的药液及时散开，避免过腐蚀；在喷洗和背洗阶段持续增加新液体，实时溢流排液，改善了清洗槽的换液效果，保证去离子水的清洗能力，节约了水量。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体清洗改良装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123069982.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
CN216487971U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
康凯陈旺康威覃伯成
申请人 ：
深圳迪道微电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场A601
代理机构 ：
南京苏创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王华
优先权 ：
CN202123069982.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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