一种用于半导体工艺的金属蒸发结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，属于半导体技术领域，金属蒸发结构包括：坩埚层(1)，坩埚层(1)包括坩埚；用于装载金属源的金属源层(2)，金属源层(2)设置于坩埚的内部；坩埚为热传导率低于金属源、熔点高于金属源的金属锅；冷却层(3)，冷却层(3)围设在坩埚层(1)的外部，冷却层(1)的底部与坩埚层(1)的底部连接。本实用新型使用一种热传导率良好但低于金属源，且溶点远高于金属源和高热下不与金属源反应的金属埚，降低了冷却作用从而可使用较低蒸发功率进来防止金属气雾造成金属球的形成，以改进金属表面的形态和确保集成电路中MIM电容器的击穿电压进而保证MIM电容器和集成电路的成品率和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种用于半导体工艺的金属蒸发结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123227789.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216473452U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
张宇
申请人 ：
成都海威华芯科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联大道88号
代理机构 ：
成都华风专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张巨箭
优先权 ：
CN202123227789.9
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30 C23C14/14 C23C14/54 H01L21/3205
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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