一种快速双温处理晶圆的半导体装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种快速双温处理晶圆的半导体装置，涉及半导体制造技术领域，包括双温热处理装置、预洁净室、晶舟和承载平台，双温热处理装置设置在预洁净室顶部，双温热处理装置与预洁净室内部连通，双温热处理装置包括上部腔室和下部腔室，上部腔室设置在下部腔室的上方，上部腔室与下部腔室均设置有加热层，预洁净室的底部设置有出气口，承载平台穿过出气口设置在预洁净室中，承载平台的底端设置有驱动机构，晶舟放置在承载平台上，本实用新型结构简单，能够快速完成晶圆的双温处理过程，防止晶圆变形翘曲。
基本信息
专利标题 ：
一种快速双温处理晶圆的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123356338.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN216528786U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
姚大平
申请人 ：
江苏中科智芯集成科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市徐州经济技术开发区创业路26号101厂房
代理机构 ：
北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙盟盟
优先权 ：
CN202123356338.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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