本发明提供了一种晶圆处理装置。该晶圆处理装置包括反应腔室；反应腔室设有支撑座，支撑座用于承载晶圆；反应腔室的顶侧可拆卸连接有喷头面板，喷头面板用于向晶圆喷射等离子体；支撑座设有陶瓷件，陶瓷件具有耐腐蚀性。本发明的晶圆处理装置通过将支撑座和喷头面板设置于反应腔室内，能够对设置于反应腔室内的晶圆进行支撑和处理，并通过在支撑座设置陶瓷件能够限制等离子体的范围，且能够避免陶瓷件或支撑座与反应腔室侧壁之间发生异常放电，并能够减缓支撑座以及陶瓷件在长期技术处理的环境作用下的影响，减缓反应腔室内颗粒和微粒物质产生的速度，降低反应腔内颗粒物质、微粒物质或漂浮物质的数量，延长陶瓷件的使用寿命，降低宕机频率。