基板处理方法和基板处理装置
公开
摘要
本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够适当地降低等离子体处理中的基板背面的金属污染。基板处理装置具有：处理容器，在所述处理容器的内部对基板进行处理；等离子体生成空间，其形成于所述处理容器的内部；处理空间，其经由分隔板而与所述等离子体生成空间连通；载置台，其设置于所述处理空间的内部，在所述载置台的上表面载置基板；以及升降机构，其使基板在所述载置台上进行升降，其中，在所述处理空间中的基板的等离子体处理中，使用所述升降机构使基板进行升降，来使该等离子体处理中的基板发生电位变化。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法和基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300332A
申请号 ：
CN202111138400.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
内藤启三好秀典土场重树
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111138400.5
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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