一种尺寸大于晶圆片的晶圆级掩模版，其具有器件图形区、包围器件图形区且直径小于晶圆片的环状保护区，及设于环状保护区外围用于将掩模版固设于光刻机曝光光路上的支撑区；使用该掩模版的电镀工艺为：在晶圆片表面旋涂负性或正性光阻，洗边后使用晶圆级掩模版进行曝光、显影，在环状保护区下方形成包围器件图形层且直径小于晶圆片的环状光阻层；将晶圆片转移至电镀机台，电镀机台的密封压环压接于环状光阻层后，向器件图形层通入电镀液，电镀完成后排出电镀液、移除光阻层，获得具有器件电镀层的晶圆片，本工艺利用晶圆级掩模版曝光显影形成的环状光阻层与密封压环紧密接合，有效避免晶圆片边缘漏出电镀液对后续制程造成影响，提升产品良率。