本发明公开了一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，涉及半导体加工技术领域，解决了现有装置不便于使真空腔内部刻蚀剂快速均匀分散的问题；包括磁块A、内凹槽，磁块A固定连接于齿环顶部，内凹槽数量设置为二组，其固定连接于底凸仓内侧顶部与底部；所述温度混合结构还包括混合转轮，混合转轮通过滑动连接设置有内凹槽内侧；通过磁力吸附可以使磁块A带动底凸仓内侧的磁块B进行同步转动，使混合转轮进行同步转动，通过其内曲侧面的斜翅对真空腔内部的雾化后的刻蚀酸剂进行搅动，可以使真空腔内部加热时，使其内部雾化的刻蚀剂雾滴热流快速均匀混合分散，可以使雾化的刻蚀剂均匀散落在晶圆表面。