一种WBGA电磁屏蔽封装结构及其制备方法
公开
摘要
本发明属于半导体封装技术领域，公开了一种WBGA电磁屏蔽封装结构的制备方法，包括以下步骤：S1、在有开窗的WBGA基板的正面上贴上芯片；S2、在WBGA基板开窗处引出引线，芯片与WBGA基板背面通过引线形成电连接；S3、在塑封模具上预先安置金属片，塑封时同时在WBGA基板开窗处塑封体表面形成第一电磁屏蔽层；S4、在塑封体的上表面采用金属溅射形成第二电磁屏蔽层；S5、进行后续处理，得到WBGA电磁屏蔽封装结构。本发明通过在塑封模具中预先安置金属片，塑封同时在基板开窗处塑封体表面形成电磁屏蔽层，可对整条WBGA产品各颗芯片起到全方位电磁屏蔽作用，有效避免了芯片间及外部电磁干扰源的电磁干扰作用。
基本信息
专利标题 ：
一种WBGA电磁屏蔽封装结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300366A
申请号 ：
CN202210033983.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周健威胡金花
申请人 ：
华天科技（南京）有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区桥林街道丁香路16号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
朱海临
优先权 ：
CN202210033983.3
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L23/552 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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