高密度基板结构及其加工方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种高密度基板结构及其加工方法，在载板的镂空区域内设有硅通孔芯片，在硅通孔芯片金属柱凸块与对应的载板金属柱凸块上设有新基板第二布线层，在新基板第二布线层上设有新基板第二金属凸块，在新基板第三布线层上设有新基板第三布线层；在硅通孔芯片金属柱的下端部与对应的载板金属柱凸块上设有新基板第一布线层，在新基板第一布线层上设有新基板第一金属凸块，在新基板第一金属凸块上设有新基板第四布线层；在新基板第三布线层与新基板第四布线层上均设有阻焊层。本发明提高了高密度基板的单位面积的布线密度、降低了体积与厚度并减少了在高频下的介电损耗。
基本信息
专利标题 ：
高密度基板结构及其加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420667A
申请号 ：
CN202210081906.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安东张爱兵李轶楠
申请人 ：
无锡中微高科电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
涂三民
优先权 ：
CN202210081906.5
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/60 H01L21/48 H01L21/52 H01L23/00 H01L23/13 H01L23/485
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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