一种可调控薄层电阻率的氮化钽薄膜的制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种可调控薄层电阻率的氮化钽薄膜的制备方法，包括如下步骤，S1：建立不同溅射条件下的迟滞回线，确立工艺条件，S2：建立不同溅射条件下的薄层电阻率；根据步骤S1中确立的反应溅射氮化钽的氮气流量，编制一系列氮气流量与之细微变化之工艺菜单，完成薄膜沉积，并测量各个薄膜样品的薄层电阻率，编制不同工艺条件下的薄层电阻率～工艺条件的关联图，为之后选择需要之工艺参数为用，本发明能够在制备氮化钽薄膜时即对其电阻阻值进行控制，以达到所需的产品。
基本信息
专利标题 ：
一种可调控薄层电阻率的氮化钽薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574825A
申请号 ：
CN202210105506.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐云俊王昱翔
申请人 ：
浙江艾微普科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号14幢
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
丁鹏
优先权 ：
CN202210105506.3
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/06 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
