基于TSV硅转接基板堆叠的集成封装结构及制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于TSV硅转接基板堆叠的集成封装结构及制造方法，属于集成电路封装技术领域，包括：TSV硅转接基板、TSV硅基腔体转接基板、转接基板间互连结构、TSV硅转接基板外接焊球、第一底部填充结构、第二底部填充结构、微电子芯片和芯片与转接板互连结构；TSV硅基腔体转接基板通过转接基板间互连结构与TSV硅转接基板连接，且微电子芯片通过芯片与转接板互连结构分别与二者连接，第一底部填充结构位于TSV微电子芯片与TSV硅转接基板中间，第二底部填充结构位于两基板中间，该多芯片集成封装结构，缩小了系统封装尺寸、提高了互联密度、缩短了互连距离、降低了传输延时、提高了带宽、提升了电源效率。
基本信息
专利标题 ：
基于TSV硅转接基板堆叠的集成封装结构及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496960A
申请号 ：
CN202210116516.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张辽辽吴道伟唐磊刘建军姚华
申请人 ：
西安微电子技术研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路198号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
房鑫
优先权 ：
CN202210116516.7
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L25/065 H01L25/18 H01L21/50 H01L21/60 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20220207
申请日 : 20220207
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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