一种集成封装结构及其制造方法
授权
摘要
本发明提供了一种集成封装结构及其制造方法，该结构包括布线层以及通过布线层电连接的芯片和金属熔丝。金属熔丝被聚合物层下方的密封层密封，且在密封层上具有一金属桥，仰视观察时，该金属桥与金属熔丝垂直交错且间隔绝缘设置。在聚合物层和密封层中具有贯通的多个导热通孔，该导热通孔直接热连接所述金属桥和布线层，以快速散热；并且，本发明提供了一种利用架空的金属桥形成金属熔丝的方法，其工艺简单，且可以提高加工效率。
基本信息
专利标题 ：
一种集成封装结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114203678A
申请号 ：
CN202210148414.3
公开（公告）日 ：
2022-03-18
申请日 ：
2022-02-18
授权号 ：
CN114203678B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
汪俊朋
申请人 ：
威海嘉瑞光电科技股份有限公司
申请人地址 ：
山东省威海市经济技术开发区崮山镇皂埠路南、金诺路西厂房
代理机构 ：
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 ：
钱超
优先权 ：
CN202210148414.3
主分类号 ：
H01L23/62
IPC分类号 ：
H01L23/62 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/62
防过电流或过电负荷保护装置，例如熔丝、分路器
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2022-04-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/62
申请日 : 20220218
申请日 : 20220218
2022-03-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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