温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构和制造方法
授权
摘要
本发明提出了温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构和制造方法。所述制造方法包括获取TC‑SAW滤波器晶圆，在所述TC‑SAW滤波器晶圆上制作滤波器IDT叉指结构，IDT电气连接金属条和IDT反射栅边侧金属条；在所述TC‑SAW滤波器晶圆、滤波器IDT叉指结构，IDT电气连接金属条和IDT反射栅边侧金属条的上表面淀积覆盖一层温补层SiO2；通过刻蚀方式移除所述IDT电气连接金属条上表面的温补层SiO2用以形成接触窗，并对所述接触窗进行BusBar金属层设置等工艺流程步骤。
基本信息
专利标题 ：
温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构和制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114157258A
申请号 ：
CN202210119533.6
公开（公告）日 ：
2022-03-08
申请日 ：
2022-02-09
授权号 ：
CN114157258B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
深圳新声半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南一道中科大厦508
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210119533.6
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 H03H9/10 H03H9/64
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2022-03-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20220209
申请日 : 20220209
2022-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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