一种晶体管激光器及其制备方法
公开
摘要
本公开提供了一种晶体管激光器及其制备方法，该晶体管激光器包括：衬底；集电层材料层、基极材料层、基极高Al组份材料层、量子阱材料层、发射极高Al组份材料层、发射极材料层依次生长于衬底上；发射极材料层、发射极高Al组份材料层、量子阱材料层及基极高Al组份材料层被刻蚀形成发射极波导；基极电极设于基极材料层上，与发射极波导不相连；发射极电极设于发射极材料层上；集电极设于衬底下表面；其中，基极高Al组份材料层、发射极高Al组份材料层中的至少一层靠近发射极波导两侧壁的区域被氧化。该晶体管激光器可以有效减少发射极波导侧壁非辐射复合中心的不利影响，从而显著改善晶体管激光器的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体管激光器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566867A
申请号 ：
CN202210195349.X
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁松
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202210195349.X
主分类号 ：
H01S5/20
IPC分类号 ：
H01S5/20
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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